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特性

• 转换增益：15 dB（典型值）
• 边带抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）
• 增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）
• RF 回波损耗：20 dB（典型值）
• LO 回波损耗：10 dB（典型值）
• IF 回波损耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装

产品详情和应用

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SSB) 升频器组件的小型替代方案，它可以使用表面安装制造技术，这消除了对引线键合的需要。

HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子无引线芯片载体 (LCC) 封装，可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。HMC6505A 的评估板还可按需提供。

应用

• 点到点和单点对多点无线电
• 军用雷达、电子战 (EW) 和电子智能 (ELINT)
• 卫星通信
• 传感器