h1_key

特性

• 转换增益：18 dB（典型值）
• 边带抑制：30 dBc（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
• 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
• IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
• RF回波损耗：13 dB（典型值）
• LO回波损耗：10 dB（典型值）
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

产品详情和应用

HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

• 点对点和点对多点无线电
• 军用雷达、EW和ELINT
• 卫星通信
• 传感器