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ADGM1002

推荐用于新设计

0Hz/DC至20 GHz、SPDT MEMS开关

ADI亚德诺 ADGM1002 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


  • ADGM1002:直流至 20 GHz
  • 插入损耗
    • 6 GHz 时为 0.5 dB(典型值)
    • 20 GHz 时为 0.9 dB(典型值)
  • IIP3:76 dBm(典型值)
  • 最大射频功率:30 dBm
  • 导通电阻:3.4 Ω(典型值)
  • 最大直流电流:150 mA
  • 驱动寿命:1亿次循环(最少)
  • 开关时间(tON):200 μ小号(典型)
  • 集成 3.3 V 驱动器,可通过并行和 SPI 进行简单控制
  • 可独立控制的开关
  • 节省空间的集成无源元件
  • 小,5.00 毫米× 4.00 mm× 0.90 毫米、24 引脚 LGA
  • 温度范围:–40°C 至 +85°C

产品详情和应用


ADGM1001//ADGM1002/ADGM1003是一款宽带、单刀双掷(SP2T)开关,采用ADI公司的微型机电系统(MEMS)开关技术制造而成。利用该技术可实现小型、宽RF带宽、高线性、低插入损耗开关,其工作频率可低至0 Hz/DC,可满足各种RF和精密设备开关需求。该器件采用24引脚5.00 mm × 4.00 mm × 0.90 mm基板栅格阵列(LGA)封装。

集成式控制芯片可产生静电驱动该开关所需的高压,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容型并行接口进行控制。所有开关都可单独进行控制。

多功能引脚名称只能通过相关功能来引用。

ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003主要规格
模式 带宽 最大射频功率 (dBm) 直流信号范围 (V) 最大直流电流 (mA)
ADGM1001 直流至 34 GHz 33 ±6 200
ADGM1002 直流至 20 GHz 30 MDD辰达半导体回扫型ESD,为HDMI接口提供安全防护 上一篇 下一篇 散热设计不良会导致 MOSFET 过热失效?MDD辰达半导体一文讲透
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