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英飞凌宣布以8.3亿美元收购加拿大氮化镓功率半导体制造GaN Systems
2023-03-08 648次


英飞凌宣布以8.3亿美元收购加拿大氮化镓功率半导体制造GaN Systems


  近日,功率芯片龙头企业英飞凌宣布,以8.3亿美元收购氮化镓功率半导体制造商GaN Systems,意在加强其氮化镓产品组合,进一步巩固英飞凌在电源系统领域的地位。目前,双方已签署最终协议。


英飞凌宣布以8.3亿美元收购加拿大氮化镓功率半导体制造GaN Systems

  GaN Systems成立于2008年,总部位于加拿大渥太华,是一家无晶圆厂半导体公司,该公司开发了适用于各种市场的全套氮化镓功率转化器件。GaN Systems独有的专利技术IslandTechnology®使其比同类产品更小、更高效,且同时克服了成本、性能以及可制造性的挑战。

  氮化镓是一种宽禁带材料,功率密度更大、效率更高而尺寸更小,尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势,氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测,氮化镓器件为功率应用创造的收入将以 56% 的复合年增长率(CAGR)增长,到 2027 年将达到 20 亿美元左右(信息来源:Yole,《复合半导体市场监测》2022 年第四季度)。因此,氮化镓连同硅和碳化硅一起,配合混合反激(Hybrid Flyback)和多级实施等新型拓扑结构,正逐渐成为制造功率半导体的关键材料。

  • 英飞凌的EiceDRIVER™高低边栅极驱动器IR2181STRPBF
  • 其中,英飞凌的EiceDRIVER™ 600 V 高低边栅极驱动器 IC(IR2181STRPBF),具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流,具有更高的带载能力,可驱动 MOSFET和IGBT,为产品从开发设计到最终应用全面保驾护航。
    2023-12-27 510次
  • 英飞凌门极驱动正压对功率半导体性能影响
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    2023-12-22 481次
  • Neutron Controls与英飞凌合作汽车电池管理平台
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    2023-10-30 796次
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  • 英飞凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板,内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器,驱动六个额定电压为150V的 OptiMOS™ MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 817次

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