TI德州仪器_ADL8106CHIPS_产品介绍

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ADL8106CHIPS

推荐新设计使用

GaAs pHEMT 低噪声放大器，20 GHz 至 54 GHz

TI德州仪器 ADL8106CHIPS 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

增益：30 GHz 到 44 GHz 范围内为 21.5 dB（典型值）
输入回波损耗：30 GHz 到 44 GHz 范围内为 22 dB（典型值）
输出回波损耗：30 GHz 到 44 GHz 范围内为 23 dB（典型值）
OP1dB：30 GHz 到 44 GHz 范围内为 14 dB（典型值）

P_SAT：30 GHz 到 44 GHz 时为 18 dBm（典型值）
OIP3：30 GHz 到 44 GHz 时为 21.5 dBm（典型值）
噪声指数：30 GHz 到 44 GHz 范围内为 3.0 dB（典型值）
120 mA 时 3 V 电源电压
匹配 50 Ω 的输入输出
裸片尺寸：2.3 mm x 1.45 mm x 0.1 mm

特性

ADL8106 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器，工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。ADL8106 提供 21.5 dB 的增益，14 dBm 的压缩 (OP1dB) 时的输出功率为 1 dB，在 30 GHz 至 44 GHz 时，输出三阶交调 (OIP3) 的典型值为 21.5 dBm。ADL8106 工作时需要 3 V 的电源电压 (V_DD) 输送的 120 mA 电流，其输入和输出在内部匹配到 50 Ω，便于集成到多芯片模块 (MCM) 中。所有数据均由通过最小长度为 0.076 mm 到 0.152 mm（3 密耳到 6 密耳）宽金带状键合连接的 RFIN 和 RFOUT 焊盘获得。