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TDA21490AUMA1是英飞凌OptiMOS™ 5功率级家族中的旗舰产品，专为满足人工智能、数据中心和高端计算平台对超高电流密度的供电需求而设计。该器件在一个5 mm × 6 mm的PQFN封装内集成了低静态电流同步降压栅极驱动IC、高侧MOSFET和低侧MOSFET，提供高达90A的峰值输出电流能力和70A的直流输出电流能力。其独特的电流检测架构和全面的故障保护机制，使其成为现代xPU、ASIC、SoC和DDR内存供电设计的核心器件

TDA21240是英飞凌科技推出的一款高度集成的DrMOS功率级器件，采用4.0 mm × 4.0 mm × 1.0 mm的PQFN封装，将25V OptiMOS™ 5 MOSFET技术与经过验证的MOSFET驱动硅片集成于单一封装之中。该器件主要面向笔记本、台式机和服务器电压调节器（VR）应用，以极小的占板面积提供高达40A的峰值输出电流能力。通过大幅降低开关损耗，TDA21240在高开关频率下依然能够维持卓越的效率，使系统设计者得以在节省板面空间的同时保持优异的功率转换性能。

在多相电压调节器的系统设计中，电流检测精度直接影响两个关键指标：均流控制的准确性和过流保护阈值的可靠性。负载电流的高估会导致CPU性能降级，而低估则可能因对电压调节器和处理器施加过大压力而影响系统级可靠性。TDA21472AUMA1是英飞凌OptiMOS™ Powerstage系列中的一款70 A集成智能功率级，采用5 mV/A的片上MOSFET电流检测方案，带温度补偿功能，在电流检测精度方面相比传统电感DCR方案具有显著优势。它将栅极驱动器、肖特基二极管以及高侧和低侧MOSFET共同封装在5 mm × 6 mm × 1 mm的PQFN封装中，为服务器CPU核心、GPU和DDR内存阵列的供电提供了高精度的功率级解决方案。

在服务器和边缘计算设备的电源架构中，并非所有电压轨都需要90A级别的大电流能力。DDR内存阵列的VDDQ供电、处理器辅助电压轨以及电信板卡的POL电源，其电流需求往往落在20A至40A区间。TDA21535是英飞凌OptiMOS™ Powerstage系列中一款定位在35A电流档的集成智能功率级，它将低静态电流同步降压栅极驱动器、高侧与低侧MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装在4 mm × 5 mm × 0.9 mm的PQFN封装中，以5 µA/A的片上电流检测精度和最高1.5 MHz的开关频率，为中等电流密度的多相电压调节器提供了一套高集成度的功率级解决方案。

在多相降压转换器的设计中，功率级器件的电流检测精度和死区时间控制是决定系统效率和均流性能的两个关键变量。TDA21470是英飞凌推出的一款70A集成智能功率级，将先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计集成在5 mm × 6 mm × 0.9 mm的PQFN封装中。它具备5 mV/A的电压模式电流监测输出、可编程恒流限制（OCSET）和双沿微调死区时间等特性，为服务器、存储和电信设备的电压调节器提供了一套高精度、高效率的功率级解决方案。