购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
推荐新设计使用
TI德州仪器 ADRF5519 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
特性
ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。
在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益（频率为2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。
在传输操作中，RF输入连接到终端引脚（ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。
应用
