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TI德州仪器 HMC8412-Die 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 低噪声系数：1.4 dB（典型值）
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：≤15.5 dB（典型值）
- 高OIP3：≤33 dBm（典型值）
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装
HMC8412TCPZ-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
- 下载HMC8412TCPZ-EP数据手册(pdf)
- 军用温度范围（−55℃至+125℃）
- 受控制造基线
- 唯一封装/测试厂
- 唯一制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/21602 DSCC图纸号
特性
HMC8412是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。
它提供15.5 dB典型增益、1.4 dB典型噪声系数和≤33 dBm典型输出3阶交调点功率(OIP3)，采用5 V电源电压时功耗仅为60 mA。其饱和输出功率(PSAT)≤ 20.5 dBm（典型值），因此该低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司众多平衡式同相和正交(I/Q)或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。
此外还具有内部匹配50 Ω的输入和输出，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。
HMC8412采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、6引脚LFCSP封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 电信
- 军用雷达和通信
- 电子战
- 航空航天
