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量产
TI德州仪器 MAT02S 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 低失调电压：50µV（最大值）
- 低噪声电压（100 Hz、1 mA）：1.0 nV/√Hz（最大值）
- 高增益(hFE)：
500（最小值，IC = 1 mA）
300（最小值，IC = 1 µA）
- 出色的对数一致性：
rBE约为0.3 Ω - 低失调电压漂移
- LM194的改良版，可直接替代
特性
MAT02系列NPN双通道单芯片晶体管的设计经过优化，提供极低噪声、低漂移和低rBE特性。ADI公司专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数能在宽温度范围和长时间内保持稳定。此外，MAT02能够在宽集电极电流范围内保持高电流增益(hFE)。MAT02的优异特性包括失调电压最大值仅50µV。保证器件性能的额定温度范围为军用温度范围。
发射极-基极结上提供了输入保护二极管，防止器件特性因为发射极电流反向偏置而下降。保护二极管形成的寄生隔离结将基板箝位在发射极最低负电压，从而在晶体管之间实现完全隔离。
MAT02适用于任何优先考虑低噪声要求的应用。它可以用作输入级，使放大器的噪声电压在100 Hz时小于1.0 nV/Hz。其它应用，如对数和反对数电路等，则可以使用MAT02的出色对数一致性。体电阻典型值仅有0.3 - 0.4 Ω。当集电极电流在1µA至10mA范围时，MAT02的电气特性接近于理想晶体管。
