TI德州仪器_ADUM7702_产品介绍

TI德州仪器 ADUM7702 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

5 MHz 至 21 MHz 主时钟输入频率
失调漂移与温度：±0.25 μV/°C
SNR：82 dB（典型值）
16 位，无失码
满量程模拟输入电压范围：±64 mV
ENOB：13 位（典型值）
I_DD1：10 mA（最大值）
板载数字隔离器
工作温度范围：−40°C 至 +125°C

高隔离型共模瞬变抗扰度：150 kV/μs（最小值），V_DD2 = 3.3 V
宽体 SOIC
- 16 引脚 SOIC_W
- 8 引脚 SOIC_IC，爬电距离更长
安全和监管审批
- UL 认证
  - 5700 V rms 持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准
CSA 元件验收通知 5A
VDE 合规证书
- DIN V VDE V 0884-10：VIORM = 1270 V_PEAK
- DIN V VDE V 0884-11：VIORM = 1060 V_PEAK (待定)

特性

ADuM7702 是一款高性能二阶Σ-Δ 调制器，具有基于 ADI 公司iCoupler^® 技术的片内数字隔离功能，可将模拟输入信号转换为高速、一位数据流。该套件由 4.5 V 至 5.5 V 电源 (V_DD1) 供电，可接受 ±50 mV（±64 mV 满量程）的伪差分输入信号。伪差分输入适合在需要电气隔离的高电压应用中进行并联电压监控。

模拟输入由高性能模拟调制器持续采样，并转换为数据速率高达 21 MHz 的 1 密度数字输出流。可以使用适当的 sinc3 数字滤波器重构原始信息，以便在 78.1 kSPS 时以 256 抽取率和 20 MHz 主时钟实现 86 dB 的信噪比 (SNR)。串行输入和输出使用 5 V 或 3 V 电源 (V_DD2) 运行。

串行接口采用数字隔离。高速互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术与整体式变压器技术相结合，使得片内隔离能够提供比光耦合器套件等替代方案更出色的性能特点。ADuM7702 采用 16 引脚 SOIC_W 和 8 引脚 SOIC_IC 封装，工作温度范围为 −40°C 至 +125°C。

应用