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AD5235

量产

非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

TI德州仪器 AD5235 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


  • 双通道、1024位分辨率
  • 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ
  • 标称电阻容差误差:±8%(最大值)
  • 低温度系数:35 ppm/°C
  • 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源
  • SPI兼容型串行接口
  • 非易失性存储器存储游标设置
  • 加电刷新EEMEM设置
  • 存储器写保护
  • 电阻容差储存于EEMEM中
  • 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息
  • 1M编程周期
  • 典型数据保留期:100年
  • 下载AD5235-EP数据手册 (pdf)
  • 温度范围:
    -40℃至+125°C
  • 受控制造基线
  • 一个装配/测试厂
  • 一个制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11605 DSCC图纸号


特性


AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。                     

在暂存编程模式下,可以直接将具体设置编程至RDAC2 寄存器,使其设置W端与A端以及W端与B端之间的电阻。该设置信息可以存储于EEMEM之中,系统加电时会自动恢复至RDAC寄存器。

EEMEM内容可以动态恢复,也可通过外部PR/选通恢复;EEMEM中的内容由一个WP/函数加以保护。为了简化编程,可以利用独立或同步线性步进递增或递减命令来上下移动RDAC游标,一次一步。对于游标设置中的对数±6 dB变化,可以利用左/右位移命令来倍增或减半RDAC游标设置。

AD5235模式化电阻容差存储于EEMEM之中。因此,在回读模式下,主机处理器可得知实际端到端电阻。主机可以通过软件程序执行适当的电阻步进,这样可以简化开环应用以及精密校准和容差匹配应用。

AD5235采用薄型16引脚TSSOP封装。保证工作温度范围为−40°C至+85°C扩展工业温度范围。

1 术语“非易失性存储器”和EEMEM可互换使用。
2数字电位计和RDAC这些术语可以互换使用。

应用

  • DWDM激光二极管驱动器,光学监控系统
  • 机械电位计的替代产品
  • 仪器仪表:增益、失调电压调整
  • 可编程电压至电流转换
  • 可编程滤波器、延迟、时间常数
  • 可编程电源
  • 低分辨率DAC的替代产品
  • 传感器校准

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