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量产
TI德州仪器 DS1245AB 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS
- 70ns的读写存取时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- ±10% VCC工作范围(DS1245Y)
- 可选择±5% VCC工作范围(DS1245AB)
- 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
- JEDEC标准的32引脚DIP封装
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
特性
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
