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MXD1210

量产

非易失RAM控制器

TI德州仪器 MXD1210 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


  • 备用电池
  • 存储器写保护
  • 工作模式静态电流:230µA
  • 备用模式静态电流:2nA
  • 电池保鲜密封
  • 可选冗余电池
  • VCC 电源开关具有低正向压降
  • 5%或10%电源故障检测选项
  • 在上电期间测试电池状况
  • 采用8引脚SO封装

特性


MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路,可将标准(易失性)CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源,以在RAM的电源处于边际(超出容限)条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时,RAM受到写保护,并且器件切换到电池备用模式。

 

应用

  • µP控制系统
  • 计算机:台式机、工作站和服务器
  • 嵌入式系统
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