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TI德州仪器 ADUM4221-1 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
- 逻辑输入电压：2.5 V至6.5 V
- 输出电源电压：4.5 V至35 V
- UVLO VDD1趋正阈值：2.5 V（最大值）
- 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
- A级：4.5 V（最大值）
- B级：7.5 V（最大值）
- C级：11.6 V（最大值）
- 精密时序特性
- 传输延迟：44 ns（最大值）
- 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
- 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
- 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs
- 工作结温最高可达：125°C
- 默认低电平输出
- 安全和法规认证（申请中）
- UL认证(UL 1577)
- 5700 V rms持续1分钟
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书
- DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
- UL认证(UL 1577)
- 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装
特性
The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI公司的iCoupler,sup>®
隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作，可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护，且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。
如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。
参数
类型 | 描述 |
工业自动化技术 (IAT) | 现场仪器仪表 |
通信 | 无线基础设施 |
电能 | 能量存储系统 |
