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推荐新设计使用
TI德州仪器 ADUM4221-2 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 4 A 峰值电流 (<2 Ω RDSON_x)
- 2.5 V 至 6.5 V 逻辑输入电压
- 4.5 V 至 35 V 输出电源电压
- UVLO VDD1 时，正向阈值2.5 V （最大值）
- VDDA和 VDDB 正向阀值上存在多个正向阈值 UVLO 选项
- A 级：4.5 V （最大值）
- B 级：7.5 V （最大值）
- C 级：11.6 V （最大值）
- 精准时序特性
- 44 ns 最大传播延迟
- 可调空载时间和双输入 (ADuM4221)
- 可调死区时间和单输入 (ADuM4221-1)
- 无空载时间控制和双输入 (ADuM4221-2)
- CMOS 输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs
- 高工作结温：125°C
- 默认低电平输出
- 安全和监管审批（申请中）
- UL 认证：符合 UL 1577
- 5700 V rms 持续 1 分钟
- CSA 元件验收通知 5A
- VDE 合规证书
- DIN V VDE V 0884-11：VIORM = 849 V 峰值
- UL 认证：符合 UL 1577
- 爬电距离增加的宽体、16 引脚 SOIC_IC
特性
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 是 4 A 隔离式半桥栅极驱动器，采用 ADI 公司的 iCoupler® 技术提供独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 在爬电距离增加的宽体、16 引脚SOIC_IC 中提供 5700 V rms 隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身，性能比其他选择更优，的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。
隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围，兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比， ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 能在输入和输出之间提供真正的电气隔离。
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均具有内置重叠保护，并允许调整空载时间。死区时间引脚 (DT) 和 GND1 引脚之间的单电阻设置了高端和低端输出的次级端空载时间。
如果 ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 的内部温度超过热关断温度 (TSD)，则内部热关断会将输出设置为低电平。因此，ADuM4121/ADuM4221-1/ADuM4221-2 能够在正或负开关电压下的开关电压范围内，可靠控制绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) /金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 配置，从而实现简单的压摆率控制。
应用
- 开关式电源
- 隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器
- 工业反相器
- 氮化镓 (GaN)/碳化硅 (SiC) 兼容
1 受美国专利 5,952,849；6,873,065 和 7,075,239 保护。其它专利正在申请中。
参数
类型 | 描述 |
工业自动化技术 (IAT) | 现场仪器仪表 |
通信 | 无线基础设施 |
电能 | 能量存储系统 |
