TI德州仪器 LTC1155 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
- 8μA 待机电流
- 85μA 导通电流
- 短路保护
- 宽电源范围:4.5V 至 18V
- 受控接通和关断时间
- 无外部充电泵组件
- 可替代 P 沟道高端 MOSFET
- 可兼容标准逻辑器件系列
- 采用 8 引脚 SO 封装
特性
LTC1155双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本N通道FET。内部电荷泵将栅极电压提升至正电源轨以上,无需外部元件即可全面增强N通道MOSFET。该器件以微功耗运行,提供8μA待机电流和85μA工作电流,用于几乎所有系统都能够实现高效率。
片内集成了过流检测功能,可在发生短路时自动关断。可增加与电流检测串联的延时,防止在电容和白炽灯等高浪涌负载上发生误触发。
LTC1155采用4.5V至18V电源工作,可安全驱动几乎所有FET的栅极。LTC1155非常适合低电压(电池供电)应用,特别是需要以微功耗“休眠”工作的应用。
LTC1155提供8引脚PDIP和8引脚SO两种封装。
应用
- 笔记本电脑电源总线切换
- SCSI 终端电源转换
- 蜂窝电话电源管理
- 替代 P 沟道开关
- 继电器和螺线管驱动器
- 低频半 H 桥
- 电机转速和转矩控制



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