基于碳化硅（SiC）的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的效率。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示：英飞凌与英飞源在电动汽车充电解决方案领域的合作，将为当地电动汽车充电行业提供出色的系统级技术解决方案。它将大幅提高充电效率，加快充电速度，并为电动汽车车主创造更好的用户体验。

英飞源中国区总裁邱添泉表示：“通过与在SiC产品领域持续精进20年以上并拥有强大的集成技术实力的英飞凌合作，英飞源将通过采用最先进的产品工艺和设计解决方案，继续巩固并保持其在行业中的技术领先地位。我们还可以为新能源汽车直流充电解决方案的充电效率树立新的标杆，从而为客户创造更多便利和独一无二的价值，促进电动汽车充电行业的健康发展。”

由于拥有高功率密度，SiC适用于开发高性能、轻量且紧凑的充电解决方案，这对超级充电站及超紧凑壁挂式直流充电桩尤为有益。SiC技术相比传统的硅技术可将电动汽车充电站的效率提高1%，从而降低了能耗和运营成本。以一座100 kW的充电站为例，这意味着节省1 kWh电能，每年节省270欧元成本，以及减少3.5吨碳排放。这将大幅推动SiC功率器件在电动汽车充电模块中的应用。

作为最早将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计。这些器件具有高阈值电压，并简化了栅极驱动。CoolSiC™ MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及栅极电压跳变应力试验，并在上市后定期进行监控，以确保拥有最高栅极可靠性。

通过采用英飞凌1200 V CoolSiC™ MOSFET，使得英飞源的30 kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。这有助于大幅降低能耗和碳排放，达到全球领先水平。