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量产
TI德州仪器 MAX6499 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 高度集成和小型封装在保证系统可靠工作的同时节省电路板空间
- 3mm x 3mm TDFN封装
- 电源电压范围：+5.5V至+72V
- 过压时，栅极快速关断，支持100mA吸电流
- 内部电荷泵电路确保10V的栅-源电压，提供低导通RDS(ON)
- 支持串联pMOSFET，实现电池反接电压保护(MAX6496)
- POK指示器(MAX6497/MAX6498)
- 可调过压门限
- 可调欠压门限(MAX6499)
- 集成保护功能和宽温范围，提高可靠性
- 过压保护开关控制器允许用户选择最合适的外部nMOSFET
- 发生过压后，nMOSFET闭锁(MAX6497/MAX6499)
- 热关断保护
- 40°C至+125°C工作温度范围
- 通过AEC-Q100认证(MAX6495ATT/V+, MAX- 6496ATA/V+T,以及MAX6499ATA/V+ Only）
特性
MAX6495–MAX6499系列小型、低电流过压保护电路适用于汽车和工业等应用中的大电压跳变系统。这些器件监视输入电压，在出现输入过压时，控制外部n沟道MOSFET开关，隔离输出负载。MAX6495–MAX6499可工作在较宽的+5.5V至+72V供电电压范围内。
当监控输入低于用户设置的过压门限时，n沟道MOSFET栅极被驱动为高。集成的电荷泵电路提供一个10V栅极-源极电压，完全导通n沟道MOSFET。当输入电压超过用户设置的过压门限时，迅速拉低MOSFET的栅极，将负载与输入断开。在某些应用中，不希望将负载和输出断开。在这些情况下，保护电路可配置为电压限幅器，GATE输出齿波来限制负载电压(MAX6495/MAX6496/MAX6499)。
MAX6496支持较低的输入电压，通过外部串联p沟道MOSFET替换外部电池反接保护二极管来降低功率损耗。MAX6496产生合适的偏置电压，确保p沟道MOSFET在正常工作时打开导通。出现抛负载情况时，栅极-源极电压被嵌箝位，电池反接时p沟道MOSFET被关断。
MAX6497/MAX6498具有一个开漏、通用比较器，在输出低于设置门限时，可通知系统。MAX6497保持MOSFET开关闭锁，直至输入电源重新上电或者刷新/SHDN引脚为止。当VOVSET降至130mV以下时，MAX6498将会自动重启。
这些器件采用小尺寸、热增强的型6引脚和8引脚TDFN封装，工作在-40°C至+125°C温度范围。
应用
- 汽车
- FireWire®
- 工业
- 笔记本电脑
- 电信/服务器/网络
