TI德州仪器_LTC7890_产品介绍

TI德州仪器 LTC7890 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
宽 V_IN 范围：4V 至 100V
宽输出电压范围：0.8V ≤ V_OUT ≤ 60V
无需环流、箝位或阴极负载二极管
内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
经过内部优化，智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器

精确可调驱动器电压和 UVLO
低 I_Q：5 μA（48 V_IN 至 5 V_OUT，通道 1 开启）
可编程频率（100kHz 至 3MHz）
可同步频率（100kHz 至 3MHz）
展频 (SSFM)
40 引脚 (6mm × 6mm) 侧面可湿性 QFN 封装

特性

LTC7890 是一款高性能、双降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，通过高达 100V 的输入电压驱动所有 N 通道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7890 解决了许多使用 GaN FET 时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，LTC7890 简化了应用设计，无需保护二极管和其他附加外部元件。

内部智能自举开关可防止 BOOSTx 引脚至 SWx 引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7890 在内部优化了两个开关终端上的栅极驱动器时序，从而实现智能近零停滞时间，显著提高效率，并且即使在高输入电压下也支持高频运行。或者，用户可使用外部电阻器调整停滞时间，从而留出一定裕量或定制应用。

LTC7890 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 范围内精确调节以优化性能，并且可使用不同的 GaN FET，甚至是逻辑电平 MOSFET。

应用