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HMC434

推荐新设计使用

使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装,DC - 8 GHz

TI德州仪器 HMC434 产品介绍
2026-04-14 0次

说明


  • 超低SSB相位噪声: -150 dBc/Hz
  • 单端输入/输出
  • 输出功率:-2 dBm(典型值)
  • 单电源供电:3 V
  • 超小型、2.90 mm × 2.80 mm、6引脚SOT-23表贴封装
HMC434-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
  • 下载HMC434-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围(−55℃至+105°C)
  • 受控制造基线
  • 封装/测试厂
  • 制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/16609 DSCC图纸号

特性


HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC),利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术,采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。

HMC434采用3 V单直流电源供电,工作频率范围为接近直流(方波)或200 MHz(正弦波)至8 GHz输入频率。

HMC434具有单端输入和输出,可减少元件数量并降低成本。100 kHz偏置时的低加性单边带(SSB)相位噪声为-150 dBc/Hz,有助于用户保持最佳系统噪声性能。

应用

  • 直流至C频段PLL预分频器
  • 甚小孔径终端(VSAT)无线电
  • 免执照国家信息基础设施(UNII)和点对点无线电
  • IEEE 802.11a和高性能无线电局域网(HiperLAN) WLAN
  • 光纤产品
  • 蜂窝/3G基础设施
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