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TI德州仪器 HMC787ALC3B 产品介绍
2026-04-14
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说明
HMC787ALC3B转换损耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时） 本振(LO)至射频(IF)隔离：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时） RF至中频(IF)隔离：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时） 输入三阶交调截点(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时） 输入1 dB压缩点(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时） 输出二阶交调截点(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时） 无源双平衡拓扑结构 宽IF频率范围：DC至4 GHz 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装
HMC787AG（芯片）
下变频器
下变频器
- 变频损耗
- 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- LO至IF隔离
- 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- RF至IF隔离
- 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 输入IP3
- 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 输入P1dB
- 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
- 无源双平衡拓扑结构
- 宽IF频率范围：DC至4 GHz
- 6焊盘、裸片[芯片]
特性
HMC787ALC3B
HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。
HMC787AG（芯片）
HMC787AG是一款通用型双平衡混频器，可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。
HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。
应用
- 微波无线电
- 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
参数
类型 | 描述 |
仪器仪表和测量 | 通信测试设备 |
航空航天和防务 | 航空航天和防务雷达系统 |
