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说明

特性

在850 MHz/900 MHz接收应用中，ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平，对于大多数应用，其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm，输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度，因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时，需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。

借助单端宽带RF/IF端口，该器件能够利用简单的外部滤波器网络，针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离，详情参见本数据手册的应用信息部分。

ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造，提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装，工作温度范围为−40°C至+85°C，同时提供评估板。

应用

数据手册，Rev. 0，2/08

参数