购物车中还没有商品，赶紧选购吧！
推荐新设计使用
TI德州仪器 ADRF5345 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
- 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 长期（>10 年）平均值
- 连续波功率：39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率：39 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- 高输入线性度，IP3：84 dBm（典型值）
- ESD 额定值
- HBM：2000 伏，2 级
- CDM：1000 V，C3 级
- 单电源运行，集成 NVG
- 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
特性
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号，该器件具有39 dBm（连续波信号）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG)，可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电，同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
