TI德州仪器_ADRF5160_产品介绍

TI德州仪器 ADRF5160 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

反射式 50 Ω 设计
低插入损耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
T_CASE = 105°C 下具有高功率处理能力
- 长期（>10 年）平均值
  - 连续波功率：43 dBm
  - 峰值功率：49 dBm
  - LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 单一事件（<10 秒）平均值
  - LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
高线性度
- P0.1dB：47 dBm（典型值）
- IP3：70 dBm（典型值）
ESD 额定值
- HBM：4 kV（3A 级）
- CDM：1.25 kV
单一正电源：5 V
正控制，CMOS/TTL 兼容
32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装

特性

ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力（长期（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。

应用