TI德州仪器_ADRF5132_产品介绍

TI德州仪器 ADRF5132 产品介绍

2026-04-14 0次

说明

反射式 50 Ω 设计
低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
T_CASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 持久（>10 年运行）
  - 峰值功率：43 dBm
  - 连续波功率：38 dBm
  - 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
单一事件（<10 秒运行）
- 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm

高线性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 时为 65 dBm（典型值）
ESD 额定值
- HBM：2 kV，2 级
- CDM：1.25 kV
单一正电源：5 V
正控制，CMOS/TTL 兼容
16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装

特性

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。

片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

此器件采用符合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

应用