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推荐新设计使用
TI德州仪器 ADRF5130 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 反射式50 Ω设计
- 低插入损耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
- 高隔离度：50 dB（典型值，2 GHz）
- 高功率处理
- 连续平均功率：43 dBm
- 峰值功率：46.5 dBm
- 高线性度
- 0.1 dB压缩(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
- 输出三阶交调截点(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
- ESD额定值
- 人体模型(HBM)：2 kV，2级
- 充电器件模型(CDM)：待定
- 单正电源
- VDD：5 V
- 正控制，TTL兼容
- VCTL： 0 V 或 5 V
- 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)
特性
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm（典型值）输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型偏置电流为1 mA，使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- 引脚二极管替代器件
参数
类型 | 描述 |
航空航天和防务 | 国防通讯 |
