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推荐新设计使用
TI德州仪器 HMC435A 产品介绍
2026-04-14
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说明
- 高隔离度：
62 dB（1 GHz时）
52 dB（2 GHz时） - 正控制： 0/+5V
- 输入IP3： 54 dBm
- 非反射式设计
- 超小型MSOP-86封装：
- 14.8 mm2
特性
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
应用
- 基站和中继器
- 蜂窝/3G和WiMAX/4G
- 基础设施和接入点
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
