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量产
TI德州仪器 HMC349AMS8G 产品介绍
2026-04-14
0次
说明
- 非反射式50 Ω设计
- 高隔离度：57 dB至2 GHz
- 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
- 高输入线性度
- 1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）
- 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）
- 高功率处理
- 33.5 dBm（通过路径）
- 26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容控制
- 全部关断状态控制
- 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)
特性
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。
HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
