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说明

特性

ADG438F和ADG439F均为CMOS模拟多路复用器；ADG438F内置8个单通道，ADG439F内置4个差分通道，而且均可提供故障保护。这些器件采用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构，发生过压或失电时，器件与信号源均会受到保护。该多路复用器可以承受-40 V至+55 V的连续过压输入。在故障条件下，当电源关闭时，多路复用器输入（或输出）表现为开路，泄漏电流只有几nA。这样，不但可以保护多路复用器及其所驱动的电路，而且可以保护驱动多路复用器的传感器或信号源。

ADG438F根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG439F根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。各器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。

• 故障保护。ADG438F和ADG439F可以耐受最大−40 V或+55 V的连续电压输入。当因电源关闭而发生故障时，所有通道均关闭，泄漏电流仅有几nA。
• 存在故障时，接通通道饱和。
• 低导通电阻。
• 快速开关时间。
• 先开后合式开关动作。保证先开后合式开关动作，从而保护输入信号不受瞬时短路影响。
• 沟道隔离可消除闩锁。电介质沟道将p沟道与n沟道MOSFET分开，从而有效防止闩锁现象。
• 改进关断隔离。沟道隔离增强了ADG438F/ADG439F的通道间隔离性能。

• 数据采集系统
• 工业和过程控制系统
• 航空电子测试设备
• 系统间信号路由
• 高可靠性控制系统

参数