ADI亚德诺_ADR440_产品介绍

ADI亚德诺 ADR440 产品介绍

2026-03-09 0次

特性

超低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR440：1 μV p-p
ADR441：1.2 μV p-p
ADR443：1.4 μV p-p
ADR444：1.8 μV p-p
ADR445：2.25 μV p-p
低压差工作：500 mV
出色的温度系数
A 级: 10 ppm/°C
B 级: 3 ppm/°C

输入范围: (V_OUT + 500 mV) 至 18 V
高输出源电流和吸电流，分别为
+10 mA 和 −5 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C

产品详情和应用

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列XFET^®基准电压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445电压随温度变化的非线性度降至低点。

XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(500 mV)。这种特性组合使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。

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ADR440

超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

特性

产品详情和应用

4000-306-326