h1_key

特性

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• JEDEC标准的24引脚DIP封装
• 100ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% V_CC工作范围(DS1220AD)
• 可选择±5% V_CC工作范围(DS1220AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

产品详情和应用

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。