h1_key

特性

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 当V_CC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在V_CC上升期间持续保持处理器的复位状态
• 电池监视器核查剩余电量
• 100ns的读写存取时间
• 没有写次数限制
• 典型待机电流50µA
• 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% V_CC工作范围(DS1345Y)或±5% V_CC工作范围(DS1345AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• PowerCap模块(PCM)封装
  • 表面贴装模块
  • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
  • 所有NV SRAM器件提供标准引脚
  • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

产品详情和应用

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1345器件具有监视V_CC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。