h1_key

特性

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% V_CC工作范围(DS1230Y)
• 可选择±5% V_CC工作范围(DS1230AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• JEDEC标准的28引脚DIP封装
• PowerCap模块(PCM)封装
  • 表面贴装模块
  • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
  • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
  • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

产品详情和应用

DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V_CC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230器件专为表面贴装应用设计。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。