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DS28E80

不推荐用于新设计

耐γ辐射1-Wire存储器 低成本鉴定或校准方案,适用于单触点操作的医用传感器及其附件

ADI亚德诺 DS28E80 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


  • 高耐γ辐射能力,允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
    • 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
    • 可重编程248字节用户存储器
  • 较小的存储块大小,用户存储器编程较灵活
    • 存储器分为8字节存储块
    • 每个存储块可写8次
    • 每个存储块均提供用户可编程写保护
  • 高级1-Wire协议,将接口减小为单触点
  • 紧凑的封装和单IO接口,减小电路板空间,增强可靠性
    • 唯一的工厂编程64位识别码
    • 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
    • 工作范围:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,读操作;0°C至+50°C,写操作
    • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
    • 6引脚TDFN封装

产品详情和应用


DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保护,每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码,由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议,在多器件的1-Wire网络中,64位识别码作为节点地址。

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应用

  • 鉴定和校准医疗工具/附件
  • 医用消费品鉴定
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  • DG1208和DG1209均为低泄漏、低电荷注入、单路8通道或双路4通道多路复用开关器件。DG1208使用三个选择输入(A2、A1和A0)来确定开关逻辑;DG1209使用两个选择输入(A1和A0)。两款器件都使用使能(EN)输入来使能或禁用器件。
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