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量产
ADI亚德诺 ADUM4121-1 产品介绍
2026-03-09
0次
特性
- 2 A峰值电流输出(<2 Ω RDSON)
- 2.5 V至6.5 V输入
- 4.5 V至35 V输出
- 欠压闭锁(UVLO)：2.5 V DD1
- VDD2有多个UVLO选项
- A级：VDD2的4.4 V（典型值）UVLO
- B级：VDD2的7.3 V（典型值）UVLO
- C级：VDD2的11.3 V（典型值）UVLO
- 精确定时特性
- 隔离器和驱动器传输延迟：53 ns（最大值）
- 安全和法规认证（申请中）
- UL认证(UL 1577)
- 1分钟5 kV rms，SOIC长封装
- CSA元件验收通知5A
- VDE合格证书（申请中）
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
- VIORM = 849 V 峰值
- 8引脚宽体SOIC封装
- CMOS输入逻辑电平
- 高共模瞬变抗扰度：>150 kV/µs
- 工作结温最高可达：125°C
- 默认低电平输出
- 内置米勒箝位
ADuM4121-1-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
- 下载 数据手册 (pdf)
- 军用温度范围：-55°C至+125°C
- 欠压闭锁(UVLO)：7.5 V VDD2
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19601-01XE DSCC 图纸号
产品详情和应用
ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器，采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离，采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。
ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作，可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。
ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位，在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活，提供具有较低阻抗路径的驱动栅极，以减少米勒电容感应导通的可能性。
有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。
应用
- 开关电源
- 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
- 工业逆变器
- 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件
