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特性

• 低噪声系数：1.8 dB（典型值）
• 高增益：19.5 dB
• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）
• 单电源：3.5 V (80 mA)
• 输出IP3：28 dBm
• 50 Ω匹配输入/输出
• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。
• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²

产品详情和应用

HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电
• 军事和太空
• 测试仪器仪表