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ADL8142-2

推荐用于新设计

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz

ADI亚德诺 ADL8142-2 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


ADL8142-2CHIP
  • 低噪声系数:1.8 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 单正电源(自偏置)
  • 高增益:26.5 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 高OIP3:20 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 裸片尺寸:0.945 mm × 1.015 mm × 0.100 mm
商用航空级特性
  • 晶圆扩散批次可追溯性
  • 辐射基准
  • 总电离剂量(TID):30次碰撞
  • 单粒子闩锁(SEL):≥62.4 MeV-cm2/mg

产品详情和应用


有关ADL8142-2C-CSL的更多信息,请参阅相应的数据手册。

ADL8142-2CHIP

ADL8142-2CHIP是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范围内,ADL8142-2CHIP提供26.5 dB典型增益、1.8 dB典型噪声系数和20 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3),采用2 V电源电压时功耗仅为25 mA。注意,可通过较大的漏极电流改善OIP3。ADL8142-2CHIP还具有交流耦合的输入和输出,内部匹配至50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电应用。

应用

  • 卫星通信
  • 电信
  • 民用雷达
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