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HMC1126

推荐用于新设计

GaAs、pHEMT、低噪声放大器,400 MHz至52 GHz

ADI亚德诺 HMC1126 产品介绍
2026-03-09 0次

特性


  • 增益:12 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • 输入回波损耗:14 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • 输出回波损耗:16 dB(典型值,10 GHz至40 GHz时)
  • OP1dB:17.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • PSAT:21 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • OIP3:28.5 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • 噪声系数:3.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)
  • 5 V电源电压(85 mA时)
  • 50 Ω匹配输入和输出
  • 无需外部无源元件
  • 5.00 mm × 5.00 mm、24引脚LGA_CAV封装

产品详情和应用


HMC1126ACEZ是一种砷化镓(GaAs)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声放大器,工作频率为400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型输出三阶截距(OIP3)、17.5 dBm的1 dB增益压缩(OP1dB)的典型输出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪声系数。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V电源。所有通常需要的外部无源元件(交流耦合电容器和电源去耦电容器)都是集成的,这有助于实现小型和紧凑的印刷电路板(PCB)占地面积。

HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.00 mm、24引脚芯片阵列小型封装、无引脚腔(LGA_CAV)封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 军事与太空
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