ADI亚德诺_ADH659S_产品介绍

ADI亚德诺 ADH659S 产品介绍

2026-03-09 0次

特性

P1dB Output Power: +26.5 dBm
Gain: 19 dB
OIP3: +35 dBm
Single Supply: +8V @ 300 mA

50 Ohm Matched Input/Output
Die Size: 3.06 mm x 1.559 mm x 0.1 mm
Screened in accordance with MIL-PRF-38534, Class K

产品详情和应用

The ADH659S is a GaAs MMIC PHEMT Distributed Power Amplifier die which operates between DC and 15 GHz. The amplifier provides 19 dB of gain, +35 dBm output IP3 and +26.5 dBm Output P1dB while requiring 300 mA from a +8V supply. Gain flatness is excellent at ±0.4 dB from DC to 10 GHz making the ADH659S ideal for variety of applications. The ADH659S amplifier I/Os are internally matched to 50 Ohms facilitating integration into Multi-Chip-Modules (MCMs).

Applications

Microwave Radios
VSAT
Test Instrumentation
Military and Space

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ADH659S

Aerospace, GaAs, PHEMT, MMIC, Power Amplifier, DC to 15 GHz

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