特性
- P1dB:2 GHz 到 6 GHz 时为 20 dBm(典型值)
- PSAT:2 GHz 到 6 GHz 时为 20.5 dBm(典型值)
- 增益:6 GHz 到 28 GHz 范围内为 15.5 dB(典型值)
- 噪声指数:2 GHz 到 20 GHz 范围内为 2.5 dB(典型值)
- OIP3:2 GHz 到 6 GHz 时为 26 dBm(典型值)
- 电源电压:53 mA 时 5 V
- 匹配 50 Ω 的输入输出
- ADL9006CHIPS
- P1dB:2 GHz 到 14 GHz 时为 19 dBm(典型值)
- 增益:14 GHz 到 22 GHz 范围内为 15.5 dB(典型值)
- 噪声指数:2 GHz 至 14 GHz 时为 2.2 dB
- 输出 IP3 :2 GHz 到 14 GHz 时为 24 dBm(典型值)
- 电源电压:5 V,总电源电流为 55 mA
- 匹配 50 Ω 的输入输出
产品详情和应用
ADL9006是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.5 dB噪声系数、26 dBm输出三阶交调截点(OIP3)和20 dBm输出功率(1 dB压缩(P1dB)),功耗为53 mA(采用5 V电源)。ADL9006仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现53 mA的电源电流(IDD)。
ADL9006放大器输入和输出内部匹配50 Ω。
ADL9006CHIPSADL9006CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.2 dB噪声系数、24 dBm输出三阶交调截点(IP3)、20 dBm输出饱和功率(PSAT)和19 dBm功率输出(1 dB压缩(P1dB)),电源电流(IDD)为55 mA(采用5 V总电源电压时)。ADL9006CHIPS仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现55 mA的IDD。
ADL9006CHIPS放大器输入和输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。
应用
- 测试仪器仪表
- 军事与太空
- 本振驱动器放大器
- 测试仪器仪表
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
- 军事与太空
ADL9006CHIPS



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