ADI亚德诺_ADRF5519_产品介绍

ADI亚德诺 ADRF5519 产品介绍

2026-03-09 0次

特性

集成式双通道 RF 前端

2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
片内偏置和匹配
单电源供电

T_CASE = 105°C 时具有高功率处理能力

LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期：43 dBm

增益

高增益模式：2.6 GHz 时为 35 dB（典型值）
低增益模式：2.6 GHz 时为 14 dB（典型值）

低噪声指数

高增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
低增益模式：2.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）

高隔离

RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）

低插入损耗：2.6 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
高 OIP3：32 dBm（典型值）
关断模式和低增益模式
低电源电流

高增益模式：5 V 时为 110 mA（典型值）
低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）

正逻辑控制
6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
引脚与 ADRF5545A 和 ADRF5549 10 W 版本兼容

产品详情和应用

ADRF5519是一款双通道集成式RF前端多芯片模块，专为工作频率为2.3 GHz至2.8 GHz的时分双工 (TDD) 应用而设计。ADRF5519采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和高功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声指数(NF)和35 dB的高增益（频率为2.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供14 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在传输操作中，RF输入连接到终端引脚（ANT-CHA或ANT-CHB分别连接到TERM-CHA或TERM-CHB）。该开关提供0.5 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9 dB峰值/平均值比 (PAR)）。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm × 6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

无线基础设施

TDD大规模多路输入和多路输出以及有源天线系统

基于TDD的通信系统

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ADRF5519

双通道，2.3 GHz至2.8 GHz，20 W接收器前端

特性

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