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特性

• 出色的声学特性
• 低噪声： 6 nV/√Hz
• 低失真： 0.0006%
• 高压摆率： 22 V/µs
• 宽带宽： 9 MHz
• 低电源电流： 5 mA
• 低失调电压： 1 mV
• 低失调电流： 2 nA
• 单位增益稳定
• SOIC-8封装
• PDIP-8封装

产品详情和应用

OP275是一款采用巴特勒放大器前端的放大器。这种新型前端设计集双极性与JFET晶体管于一体，兼有双极性晶体管的精度和低噪声性能，以及JFET晶体管的速度和音质。总谐波失真+噪声(THD+N)与以前的音频放大器相当，但电源电流低得多。

l/f转折频率低于6 Hz，因而噪声密度响应很平坦。无论在30 Hz还是1 kHz测量噪声，其值仅为6 nV/√Hz。即使在需要较大输出摆幅时，输入级的JFET部分也能使OP275具有高压摆率，从而保持低失真。该器件的压摆率为22 V/µs，在所有标准音频放大器中最快。最可喜的是，实现这种低噪声和高速性能所耗用的电源电流不到5 mA，低于所有标准音频放大器。

相对于纯双极性设计，偏置和失调电流大大降低，从而改善了直流性能。输入失调电压能保证达到1 mV，通常低于200 µV。因此OP275可以用在许多直流耦合或求和应用中，无需进行特别选择，或者因采用附加失调电压调整电路而增加噪声。

驱动600 Ω负载时输出电压达10 V rms，同时保持低失真。3 V rms时总谐波失真+噪声低至0.0006%。

OP275的额定温度范围为-40°C至+85°C扩展工业温度范围。OP275提供塑封DIP和SOIC-8两种封装。SOIC-8封装以2500片卷盘形式提供。出于各种原因，许多音频放大器都不提供SOIC-8表贴封装；不过，OP275经过特别设计，采用表贴封装也能提供高性能。