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特性

• 将CMOS SRAM转换为非易失性存储器
• 当V_CC超出容差时，对SRAM实施无条件写保护
• 发生V_CC电源故障时自动切换至电池备用电源
• 灵活的存储器结构
  • 模式0：4组，每组1个SRAM
  • 模式1：2组，每组2个SRAM
  • 模式2：1组，每组4个SRAM
• 监控锂电池的电压并在即将发生电池故障时发出预警
• 低电平有效时发出低电池电量状态信号电池警告输出信号
• 发生电源故障时复位处理器，并在系统上电期间使处理器保持复位状态
• 可选5%或10%电源故障检测
• 16引脚PDIP、16引脚SO和20引脚TSSOP封装
• 工业温度范围：−40°C至+85°C

产品详情和应用

带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被禁止以实现写保护，并且电池会开启以向SRAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，能够以超低的电池消耗提供高精度的电压检测。一个DS1321可支持多达四个以三种存储器配置中的任意一种排列的SRAM。

除了备用电池支持之外，DS1321执行的重要功能还包括监控锂电池剩余电量并在电池电量耗尽之前发出警告。由于锂备用电池的开路电压在其使用寿命的大部分时间内保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量装载电池电压。为了执行此类测量，DS1321会定期将电池电压与精心选择的基准电压进行比较，因为它支持内部阻性负载。如果在这种情况下电池电压降至基准电压以下，电池电量很快就会耗尽。因此，电池警告引脚会被激活，以发出需要更换电池的信号。