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特性

• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 12μA 待用电流
• 可在 9V 至 24V 的电源电压范围内工作
• 短路保护
• 可容易地提供针对电源瞬变的保护
• 受控接通和关断时间
• 无外部充电泵组件
• 可兼容标准逻辑器件系列
• 采用 8 引脚 SOIC 封装
  
  

产品详情和应用

LTC^®1255 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现较高的效率。

在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路，以在发生短路的情况下提供自动停机。可以给电流检测增添一个延时，以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。

LTC1255 采用 9V 至 24V 电源供电工作，而且非常适合工业和汽车应用。

LTC1255 可提供 8 引脚 DIP 封装和 8 引脚 SOIC 封装。

• 螺线管驱动器
• DC 电机驱动器
• 步进电机驱动器
• 灯驱动器 / 调光器
• 继电器驱动器
• 低频 H 桥
• 替代 P 沟道开关