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特性

• 独立的灌出/吸收输出，便于控制上升和下降时间
• +4V至+14V单电源
• 7A/3A峰值吸收/灌出驱动电流
• 0.3Ω开漏n沟吸收输出
• 0.84Ω开漏p沟灌出输出
• 传输延迟低至8ns
• 匹配的同相和反相传输延迟
• 带有滞回的TTL逻辑电平输入，提高噪声抑制
• 输入额定电压为+14V，与V+电压无关
• 低输入电容：10pF (典型)
• 1nF负载下，具有5ns典型上升时间和4ns典型下降时间
• 热关断保护
• 6引脚SOT23封装
• -40°C至+125°C温度范围
• 引脚兼容于MAX5048B

产品详情和应用

MAX5048C为高速MOSFET驱动器，可以提供7A/3A的吸收/灌出峰值电流。这些器件接受逻辑输入信号，可驱动大功率外部MOSFET。器件具有反相和同相输入，给用户更大的灵活性来控制MOSFET。器件还提供必要的功能，用于驱动低边增强型氮化镓(GaN) FET。他们提供两路独立的互补模式，以便设计者灵活地控制导通和关断速度。

器件内部逻辑电路能够防止输出状态变化期间的直通。逻辑输入能够承受高达+14V的瞬态电压，而与V+电压无关。同相和反相输入间的传输延迟时间已被匹配并减至最小。器件具有非常短的开关时间和传输延迟(典型8ns)，非常适合于高频电路。

器件工作在+4V至+14V单电源输入，典型消耗0.5mA电源电流，支持TTL输入逻辑电平。提供6引脚SOT23封装，为MAX5048B用户提供产品升级支持。

应用

• DC-DC转换器
• 电机控制
• 功率MOSFET开关
• 电源模块
• 开关模式电源