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特性

• 无需外部组件
• 内部电压三倍器产生用于逻辑电平 FET 的高端栅极驱动电压
• 超低功率：
  • 每个驱动器 10µA 的 ON 电流 (LTC1982)
  • 20µA ON 电流 (LTC1981)  
  • <1µA 停机电流
• V_CC 范围：1.8V 至 5V
• 在停机期间栅极驱动输出被驱动至地
• 栅极驱动输出在内部被箝位至 7.5V (最大值)
• “栅极驱动就绪” 输出 (LTC1981)
• 超小型应用电路
• 5 引脚 SOT-23 封装 (LTC1981)
• 6 引脚 SOT-23 封装 (LTC1982)
  
  

产品详情和应用

LTC^®1981 / LTC1982 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10µA (对于 LTC1981 为 20µA)。

低静态电流和低停机电流 (低于 1µA) 使这些器件非常适合于电池供电系统和其他供电功率受限的系统。其宽输入电压范围可适应多种电池 / 输入配置。

栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，从而为外部 MOSFET 栅极提供了保护作用。MOSFET 可以采用高端或低端模式进行驱动。

LTC1981 单通道驱动器版本还包括一个 “栅极驱动就绪” 引脚，并具有两倍于双通道驱动器 LTC1982 的驱动电流能力。

LTC1981 采用 5 引脚 SOT-23 封装。LTC1982 采用 6 引脚 SOT-23 封装。

• 蜂窝电话
• 便携式 POS 终端
• 手持式电池供电设备