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安世半导体IGBT模块赋能马达驱动应用
Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。
2023-10-20
437次
碳化硅二极管优于硅二极管的8大原因
SiC的介电击穿场强比硅基器件高出约10倍,且在给定的截止电压下,SiC的漂移层比硅基器件更薄且掺杂浓度更高,因此SiC的电阻率更低,传导性能也更好。这意味着,在额定电压相同的情况下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
2023-08-02
489次
安世半导体IGBTs高功率带来更多选择
绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日,事实上,通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起,IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件,包括供暖通风与空气调节(HVAC)系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及,市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求,并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合(GaN和SiC),Nexperia (安世半导体)正在推出多个 IGBT系列,首先便是600 V 器件。
2023-07-21
415次
为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
2023-06-15
428次
100BASE-T1/1000BASE-T1汽车以太网
100BASE-T1和1000BASE-T1的拓扑结构,汽车以太网用法灵活,并能显著提高数据速率(与传统的 CAN HS/FD 相比),因此能够桥接各种复杂的通信域,如图1所示。这一特性进一步强化汽车以太网在未来车载数据通信架构中的作用,而在未来,ADAS、信息娱乐系统和动力系统等关键应用将在汽车领域内显著增长。
2023-04-27
1597次
怎么选择沟槽肖特基整流器
Trench 沟槽肖特基整流器系列在VF和IR之间实现了很好的平衡。与平面肖特基二极管相比,沟槽肖特基器件具有更宽的安全工作范围(SOA)。由于对热失控的鲁棒性,这使得它们在环境温度较高的应用中成为理想选择。
2023-02-21
795次
通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)
通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT),由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度,因而在许多应用中,需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平,从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
2023-02-21
1007次
电机控制和转换效率的汽车应用
对于越来越多的汽车应用来说,电源转换和电机控制应用的效率是一项始终需要关注的设计规范要求。现代内燃机汽车越来越多地使用低压三相电机控制系统,包括燃油泵、座位调节电机和空调电机。
2023-02-21
600次
安世为汽车A/V接口提供ESD保护
从设计方面来看,高速视频链接设计需要考虑如何在恶劣的环境下,保持所需的信号完整性。视频数据路径中添加的每个组件都会引入损耗,这将影响同轴电缆的选择、连接器的质量,以及信号如何路由到链接的物理接口(PHY)。保持信号完整性是重中之重,但仍需要通过增加适当级别的保护,防止潜在的ESD脉冲和故障条件(例如电池轨短路)。
2023-02-21
659次
安世面向USB4数据线的ESD保护器
以前ESD保护器件的射频性能是通过观察其电容来进行比较的,但这种方法在10 GHz左右已达到了极限。因为ESD保护器件的电容和固有电感能够有效地形成带阻滤波器。
2023-02-21
554次
安世36 V电池隔离MOSFET
出现故障的情况下,当故障导致深度放电时,由于在高电流下电路电感两端产生的电压,PSMN1R5-50YLH电池隔离MOSFET通常会进入线性模式。因此,维持稳定的安全工作区至关重要。
2023-02-21
595次
Nexperia的MJD系列功率双极性晶体管技术
在大功率LED灯串中实现稳健持续运行,要求无论温度和输入电压如何波动变化,电流都能保持稳定。分立式高电压电流吸收器拓扑使用Nexperia的MJD系列功率双极性晶体管以及精密TLVH并联稳压器,以高性价比的简单解决方案来确保LED亮度恒定。
2023-02-21
526次
Nexperia的100 V增强型SOA技术
在电信和PoE(以太网供电)应用中,Nexperia的100 V增强型SOA技术广泛用于管理浪涌电流。截至目前,我们的增强型SOA产品组合的出货量超过了2亿件,设计划工程师可以确信自己选择了最佳的性能和质量。
2023-02-21
686次
Nexperia安世的200V超快速整流器技术
Nexperia的200 V超快速整流器技术的性能与领先竞争对手(具有相同的额定值和封装外形)的类似器件进行了比较。在测试中,两台设备均需切断2 A的电流。虽然两个二极管的di/dt相同,但与竞争器件相比,Nexperia PNE二极管的反向恢复特性表现出了更好的开关性能,并且反向恢复电荷Qrr和反向峰值电流也都较低。
2023-02-21
571次
MOSFET增强的体二极管优化Qrr和Vsd
MOSFET的体二极管能够让感性负载电流在MOSFET处于“关断”状态时绕开MOSFET。因此,它在同步整流(AC-DC和DC-DC)和电机控制(全桥和半桥)等许多应用中都是一个重要特性。在一个MOSFET关断和第二个MOSFET导通之间的“死区时间”内,体二极管会导通。
2023-02-21
1196次
GaN FET助力80 PLUS钛金级电源
为了提高电源的效率,80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET,实现更小、更快、更凉、更轻的系统,同时降低总体系统成本。
2023-02-21
621次
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