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威世科技202 PML-ST系列螺丝接头铝电容器,小型封装、高容值高压组合
2022-12-06 523次

  Vishay BCcomponents 202 PML-ST系列

  电解电容器纹波电流高达 49.6 A

  ESR 低至 2 mΩ

  使用寿命长达 10,000 小时

  Vishay 推出新系列螺丝接头铝电解电容器,便于设计师在更小空间内储存更高能量。从 35 mm x 60 mm 到 90 mm x 220 mm,Vishay BCcomponents 202 PML-ST 系列电容器有 11 种小型封装外形尺寸,电容/电压(CV)值高于前代解决方案,+85˚C 条件下纹波电流高达 49.6 A,ESR 低至 2 mΩ,使用寿命长达 10,000 小时。



威世科技202 PML-ST系列螺丝接头铝电容器,小型封装、高容值高压组合





  日前发布的电解电容器采用蓝色套筒绝缘的圆柱形铝壳,密封盘带有减压装置,具有 200 V 至 450 V 额定电压,56 000 µF 至 15 000 µF 高容值/高压组合。例如,2200µF/400 V 额定 CV 器件以前采用 65 mm x 105 mm 封装,现封装外形尺寸为 50 mm x 105 mm。电容器纹波电流和 ESR 优于前代解决方案类似外形尺寸额定 CV 器件。例如,4700µF/400 V 额定 CV 器件纹波电流提高 12%,ESR 降低 16%。

  作为采用非固态电解液的极化铝电解电容器,器件符合 RoHS 标准,特别适合要求使用寿命达到 10 至 15 年的各种脉冲电源滤波、缓冲和储能应用。典型终端产品包括工业电机驱动、列车和地铁铁路牵引、焊机、暖通空调(HVAC)、UPS、风力发电机和光伏逆变器、医用 X 光机。


  器件规格表

威世科技202 PML-ST系列螺丝接头铝电容器,小型封装、高容值高压组合
  • 意法半导体STM32N657I0H3Q微控制器深度解析
  • STM32N657I0H3Q是意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能ARM Cortex-M55内核微控制器(MCU),属于STM32N6系列中的旗舰型号。该芯片采用16nm FinFET先进制程工艺,主频高达800MHz,集成4.2MB连续SRAM,并融合了神经网络加速器、图形处理单元(GPU)及多模态外设接口,专为实时信号处理、边缘AI及复杂嵌入式系统设计。
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  • 意法半导体STM32N655X0H3Q微控制器功能深度分析
  • STM32N655X0H3Q基于ARM® Cortex®-M55内核设计,主频高达800MHz,并集成Helium矢量处理技术,显著提升了DSP级运算效率。该技术通过单指令多数据(SIMD)架构优化矢量运算,在音频处理、数字滤波等场景中可实现超40%的算法加速。
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  • 意法半导体STM32N655L0H3Q产品综合介绍
  • STM32N655L0H3Q基于意法半导体最新STM32N6系列设计,采用16nm FinFET先进工艺,搭载Arm Cortex-M55内核,主频高达800MHz,并集成ArmHelium矢量处理技术,显著提升了信号处理能力和指令执行效率。其架构优化使得该芯片在复杂算法处理、高精度计算等场景下表现优异,例如在工业控制中可快速响应多任务调度需求。
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  • 意法半导体STM32N655A0H3Q:专为边缘AI应用设计
  • STM32N655A0H3Q是意法半导体(STMicroelectronics)推出的STM32N6系列高性能微控制器旗舰型号,专为边缘AI应用设计,结合了传统MCU的低功耗、高集成度特性与专用AI加速单元的算力优势,成为工业控制、智能终端及物联网领域的革新性解决方案。
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  • 意法半导体STM32N6首款‌边缘AI应用MCU系列详解
  • STM32N6系列是意法半导体(ST)推出的首款专为‌边缘AI应用‌设计的高性能微控制器(MCU),采用‌MCU+NPU异构架构‌,在低功耗、低成本基础上实现MPU级的AI算力。其核心亮点包括: ‌先进工艺‌:基于16nm FinFET工艺,显著提升能效与集成度。 ‌高性能内核‌:搭载800MHz主频的Arm®Cortex®-M55CPU,支持‌Helium矢量处理技术‌,强化DSP运算能力,可实现数据预处理与后处理。
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