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英飞凌IGBT命名规则
2022-12-12 822次

  英飞凌在全球拥有约 50,280 名员工,2021财年营收额达到110.60亿欧元,同比增长29%,总运营利润达到20.72亿欧元,运营利润率为18.7% 。英飞凌分为四个部门,这些部门负责各自核心竞争力的特定领域。汽车部门负责与汽车电子相关的半导体业务。工业电源控制部门专注于主要用于工业应用的功率半导体,而电源和传感器系统部门则主要解决面向消费者的应用和电源。与新安全应用程序相关的活动被整合到互联安全系统部门。

  由于英飞凌的元器件种类繁多,英飞凌IGBT命名规则命名规则较复杂,导致很多新入行的工程师和采购会无从下手。为此整理了英飞凌IGBT模块命名规则参考。


  先来看下英飞凌IGBT模块的一般命名原则:




英飞凌IGBT命名规则





  其中,常见的拓扑形式有:







  常见的封装形式有:








  常见的模块特征位变量有:







  至于最后的结构变量,一般以B开头,比如B11,B15,B26等,就更加复杂了,详见下列不同封装形式命名详解。图片点击可放大!


  EASY模块命名规则



 Econo 模块命名规则




  34mm&62mm命名规则



  EconoPACK™ 4


  EconoDUAL™ 3 命名规则



  EconoPACK™+





  PrimePACK™



 IHM Cu/AlSiC



  XHP


  IHV




  • Neutron Controls与英飞凌合作汽车电池管理平台
  • 英飞凌科技的解决方案可帮助工程师开发可靠的汽车电池管理系统(BMS)。英飞凌首选设计公司Neutron Controls现已发布ECU8™系统平台,能够加速基于英飞凌芯片组的电池管理系统(BMS)开发。通过该平台,Neutron Controls及其设计服务客户可以为电池管理单元提供完整的半导体硬件和软件平台解决方案,并符合ASIL-D, ISO26262标准,从而显著减少开发工作量。
    2023-10-30 742次
  • 英飞凌完成收购氮化镓系统公司GaN Systems
  • 德国慕尼黑和加拿大渥太华讯——英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。
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  • 英飞凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 电机驱动评估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1评估套件包括一块三相逆变功率板,内含额定电压为160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相栅极驱动器,驱动六个额定电压为150V的 OptiMOS™ MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 756次
  • 英飞凌携手英飞源拓展新能源汽车充电市场
  • 英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件,用于提升电动汽车充电站的效率。
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  • 英飞凌新能源“东风”下的碳化硅(SiC)
  • 所谓第三代半导体,指的是以碳化硅(SiC)、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,具备高频、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,因此在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。
    2023-07-07 765次

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