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  极致低功耗，英飞凌 pick RRAM

  台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器，英飞凌表示将在2023年底之前提供MCU样品。而下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器(RRAM)，而不是嵌入式闪存(eFlash)，并将在台积电的28纳米节点上制造。

  自从推出第一批嵌入式闪存微控制器发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ECU,在市场上大多数MCU系列都基于eFlash技术，改技术一直努力迁移到28纳米以下，并且也被认为效率低于RRAM。目前，市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术(eFlash)技术。

  RRAM存在多变体，通常标准 CMOS 逻辑上沉积过渡金属氧化物 (TMO) 层。而每个公司的配料方和分层结构都是独一无二，但通常RRAM是基于金属离子和氧空位在电压下的迁移，去建立和断开储存单元中的丝状传导路径。而台积电提供带有RRAM 的 Aurix 微控制器将提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保留与闪存相当。

  英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础，并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。

  基于台积电RRAM技术的AURIX TC4x通过提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的网络接口(包括10Base T1S以太网和CAN-XL)进一步扩大了这一成功。